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Modélisation compacte et conception de circuit à base de jonction tunnel ferroélectrique et de jonction tunnel magnétique exploitant le transfert de spin assisté par effet Hall de spin : Compact modeling and circuit design based on ferroelectric tunnel junction and spin-Hall-assisted spin-transfer torque

by Zhaohao Wang




Institution: Klein, Jacques-Olivier (thesis director)
Department:
Year: 2015
Keywords: Jonction tunnel ferroélectrique; Jonction tunnel magnétique; Effet Hall de spin; Transfert de spin; Modèle compact; Circuits non-volatiles; Ferroelectric tunnel junction; Magnetic tunnel junction; Spin-Hall effect; Spin-Transfer torque; Compact model; Non-Volatile circuits
Posted: 02/05/2017
Record ID: 2077561
Full text PDF: http://www.theses.fr/fr/2015SACLS036


Abstract

Les mémoires non-volatiles (MNV) sont l'objet d'un effort de recherche croissant du fait de leur capacité à limiter la consommation statique, qui obère habituellement la réduction des dimensions dans la technologie CMOS. Dans ce contexte, cette thèse aborde plus spécifiquement deux technologies de mémoires non volatiles : d'une part les jonctions tunnel ferroélectriques (JTF), dispositif non volatil émergent, et d'autre part les dispositifs à transfert de spin (TS) assisté par effet Hall de spin (EHS), approche alternative proposée récemment pour écrire les jonctions tunnel magnétiques (JTM). Mon objectif est de développer des modèles compacts pour ces deux technologies et d'explorer, par simulation, leur intégration dans les circuits non-volatiles.J'ai d'abord étudié les modèles physiques qui décrivent les comportements électriques des JTF : la résistance tunnel, la dynamique de la commutation ferroélectrique et leur comportement memristif. La précision de ces modèles physiques est validée par leur bonne adéquation avec les résultats expérimentaux. Afin de proposer un modèle compatible avec les simulateurs électriques standards, nous j'ai développé les modèles physiques mentionnés ci-dessus en langue Verilog-A, puis je les ai intégrés ensemble. Le modèle électrique que j'ai conçu peut être exploité sur la plate-forme Cadence (un outil standard pour la simulation de circuit). Il reproduit fidèlement les comportements de JTF. Ensuite, en utilisant ce modèle de JTF et le design-kit CMOS de STMicroelectronics, j'ai conçu et simulé trois types de circuits: i) une mémoire vive (RAM) basée sur les JTF, ii) deux systèmes neuromorphiques basés sur les JTF, l'un qui émule la règle d'apprentissage de la plasticité synaptique basée sur le décalage temporel des impulsions neuronale (STDP), l'autre mettant en œuvre l'apprentissage supervisé de fonctions logiques, iii) un bloc logique booléen basé sur les JTF, y compris la démonstration des fonctions logiques NAND et NOR. L'influence des paramètres de la JTF sur les performances de ces circuits a été analysée par simulation. Finalement, nous avons modélisé la dynamique de renversement de l'aimantation dans les dispositifs à anisotropie perpendiculaire à transfert de spin assisté par effet Hall de spin dans un JTM à trois terminaux. Dans ce schéma, deux courants d'écriture sont appliqués pour générer l'EHS et le TS. La simulation numérique basée sur l'équation de Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG) démontre que le délai d'incubation de TS peut être éliminé par un fort EHS, conduisant à la commutation ultra-rapide de l'aimantation, sans pour autant requérir une augmentation excessive du TS. Nous avons appliqué cette nouvelle méthode d'écriture à la conception d'une bascule magnétique et d'un additionneur 1 bit magnétique. Les performances des circuits magnétiques assistés par l'EHS ont été comparés à ceux écrits par transfert de spin, par simulation et par une analyse fondée sur le modèle théorique. Non-volatile memory (NVM) devices have been attracting intensive research interest…